一种基于交叉耦合技术的高精度CMOS带隙基准源

摘要

提出了一种结构新颖的低失调高精度CMOS带隙基准源.采用交叉耦合技术,降低运放失调和电流镜失配的影响,提高了带隙的精度.仿真结果表明,基准电压为1.2880V,在-30℃～125℃,偏差小于2.7mV,温度系数为13.5ppm/℃;在运放失调±5mV和电流镜失配±2％条件下,基准失调电压小于±25.3mV,与传统带隙相比,相对精度提高了3.3倍.最后,基于0.35μmCMOS工艺实现了此电压基准源.实测结果为:在10℃～85℃,基准电压偏差小于3mV,温度系数为24ppm/℃.