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赵有文; 董志远; 吕小红; 段满龙; 孙文荣;
中国电子学会;
磷化铟; 半绝缘InP单晶材料; 空位; 填隙缺陷; 正电子寿命谱;
机译:空位和自填隙的单晶硅表面的从头算分析:熔体晶体生长过程中本征点缺陷掺入的含义
机译:锗的空位和自填隙缺陷的电子和结构性质
机译:介电极化对绝缘晶体中带电点缺陷性质的影响:AlN中的氮空位
机译:最近的研究结果对半绝缘INP的深度缺陷 - 应用提高材料质量
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:空位簇缺陷对硅晶体电学和热力学性质的影响
机译:通过有吸引力的相互作用,ZnO中存在丰富的缺陷 O-空位和Zn-填隙
机译:Gaas单晶中空位缺陷的性质。
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶衬底的生产方法
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶基体的生产
机译:半绝缘性InP单晶和半绝缘性InP单晶的产生
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