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黄勇光; 段宝兴; 罗萍;
中国电子学会;
四川省电子学会;
工艺仿真; LDMOS; 器件模拟; 击穿电压;
机译:具有SiGe吸收层的超薄晶体硅异质结构太阳能电池的设计与分析
机译:具有与硅中的TSV相同间距的直通封装的超薄3-D玻璃中介层的设计,制造和表征
机译:具有(111)表面的超薄绝缘体上硅层和具有(001)表面的超薄绝缘体上锗的声子限制电子迁移行为和固有迁移率降低机理
机译:用于块状硅和SOI横向高压器件的REBULF技术
机译:化学控制硅上超薄膜和氨基端接层的形成和反应性。
机译:选择性沉积Pt上的超薄Pt层金纳米岛修饰的硅光电阴极用于制氢
机译:超薄原子层沉积的TiOx层对晶体硅表面的有效钝化
机译:后硅微电子的超薄硅膜结构
机译:光学探测器超导单光子探测器,例如医学成像,具有电介质层和超薄超导体层,该电介质层和超薄超导体层设置在堆叠的电介质基板上,另一个电介质层放置在前一层上
机译:集成电路设计与制造中的光刻工艺仿真
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
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