首页> 中文会议>2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会 >纳米晶粒受控生长抑制PZNT铁电薄膜中异相形成

纳米晶粒受控生长抑制PZNT铁电薄膜中异相形成

摘要

在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜.生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长,薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrTiO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长,薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜.分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成,薄膜晶粒的发育,克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号