空气中热氧化电沉积Zn纳米晶制备一维ZnO纳米针及其生长机制与场发射效应的研究

摘要

本文介绍了一种新颖、简易的制备一维ZnO纳米针的方法,即在金属基板表面电沉积一层金属Zn纳米晶,将该纳米晶置于高温炉中,通过热氧化法可成功的制备一维ZnO纳米针.同时,研究了不同的热氧化温度因素对一维ZnO纳米针的制备及其形貌的影响.在本方法中,一维ZnO纳米针材料对应于初始电沉积层的Zn纳米晶颗粒,这与其他方法中ZnO的生长机制不同,可以认为本方法的ZnO的生长遵从自催化扩散机制.同时,研究了一维ZnO纳米针薄膜的场发射效应,开启电压为0.5 Vμm-1,最大电流密度可达1.1 mAcm-2,并具有良好的线性F-N特性.