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张伟; 路新春; 刘宇宏; 雒建斌;
中国机械工程学会;
华南理工大学;
化学机械抛光; 动电位极化扫描; 氨基乙酸-H2O2体系; 腐蚀坑; 抛光液; 铜;
机译:电镀NiFe 45/55的化学机械抛光中各种氧化铝基抛光液的去除机理研究
机译:吡唑在碱性机械化学抛光抛光液中作为铜缓蚀剂的研究
机译:对应于化学机械抛光的进展抛光液及其设计(下)
机译:通过有针对性地调整抛光液和抛光垫,改善化学机械抛光CMP工艺的性能
机译:铜电化学机械抛光(Cu-ECMP)中的实验和分子动力学研究。
机译:铜相互作用铜驱动聚集和铜驱动H2O2形成与Aβ40构型的相关性
机译:Fe(III)/ H2O2,Cu(II)/ H2O2和Fe(III)/ Cu(II)/ H2O2体系分解H2O2和阿特拉津的比较研究
机译:H2sO4-H2O2-H2O体系中优先化学蚀刻制备Gaas衍射光栅的轮廓和凹槽深度控制。
机译:使用固定研磨垫和铜层化学机械抛光液的铜化学机械抛光工艺,特别适用于使用固定研磨垫的化学机械抛光
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