孔腐蚀工艺优化对良率的改善

摘要

主要研究了孔腐蚀工艺模块对良率的影响,通过250V VDMOS工艺的具体例子,详细分析了孔腐蚀工艺存在的问题,并在不断的实验引导下改进优化孔腐蚀的工艺过程。最终确立了先湿法后干法的孔腐蚀工艺模块。在优化过孔腐蚀的工艺下,栅源漏电问题得到解决,前后两次工程批对比芯片良率提高了10％。