亚微米BiCMOS RF BJT的工艺设计与优化

摘要

以中电集团第二十四研究所0.8um模拟BiCMOS工艺为背景,介绍了在BiCMOS工艺中高速双极型晶体管结构设计和工艺集成所涉及的主要问题与优化策略。通过对器件结构和工艺的优化,在0.8um BiCMOS工艺中集成的NPN管有效基区宽度小于100 nm,f1>16 GHz,fmax>35 GHz,并对工艺流程和器件参数进行了说明和分析。