一种新颖的高性能带隙基准源设计

摘要

基于0.6μm BiCMOS工艺,设计了一种低温漂、高电源抑制的基准源。巧妙地利用了一个栅衬短接的NMOS管,在构成高阶温度补偿的同时,加速了基准源的启动。通过一个PTAT电流源完成了基准源的启动、提高了基准源的电源抑制能力,并且实现了一种简单的欠压保护功能。