全差分电流型压控振荡器

摘要

基于传统电流型压控振荡器,设计了一种全差分电流型结构,不仅提高了振荡频率,而且优化了噪声特性。设计采用HEJIAN0.18μm双阱CMOS工艺,利用Hspice进行仿真,仿真结果表明,振荡频率与传统结构相比有500MHz的提高,噪声特性方面有明显改进,低频时电源抑制比达到63dB,调谐范围达到2.7GHz。