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胡劫; 余宁梅; 刘伟;
中国电子学会;
带隙基准源; 电路结构; 温度补偿; 仿真分析;
机译:具有曲率补偿和高电源抑制功能的改进型带隙基准
机译:具有非线性补偿的2.87ppm /°C 65 nm CMOS带隙基准
机译:一种带隙基准中用于补偿基极-发射极电压的改进方法
机译:应变补偿的InGaAs / InGaAsP多量子阱中的带隙和带隙
机译:补偿硅P-N结中的亚带隙光检测和光响应放大。
机译:作为新型潜在的红外非线性光学材料A2SrMIVS4(A = LiNa; MIV = GeSn)同时显示出较宽的带隙和良好的非线性光学响应
机译:具有非线性电压曲率补偿的低功耗带隙电压参考
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译:低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
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