晶硅太阳电池有效陷光结构的制备

摘要

随着经济、社会和科学技术的发展,太阳电池已在能源领域发挥日益重要的作用.其中硅系太阳电池因其在原材料储备方面的优势而成为太阳电池的主导产品.对于典型的晶硅太阳电池来讲,为了减低成本,需要进一步研究陷光结构.本实验采用模板法,在已有金字塔结构的晶硅太阳电池表面进行二次制绒.通过采用特别有序模板,可以在金字塔结构表面形成较为有序的纳米坑.光学测试结果表明镜面反射有大幅度的降低,在400～1000nm,平均反射率2％.量子效率的结果表明,从500～850nm,量子效率从80％增加到90％.对量子效率进行积分得到的短路电流密度也有所提高,从29.56mA/cm2提高到了31.92mA/cm2.