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王元立;
中国电子学会;
广州市科协;
砷化镓; 化合物半导体; 晶片退火; 光致发光; 砷沉淀; 晶片结构; 光电性能;
机译:热退火对掺PLAN硅晶片微观结构的影响
机译:退火温度对键合n-GaAs晶片电阻的影响
机译:InAs / GaAs量子点光电导天线晶片的光电性能
机译:锭和晶片退火对掺铁半绝缘InP晶片均匀性的影响
机译:切角对晶片键合串联太阳能电池直接晶片键合的n-砷化镓/ n-砷化镓结构电导率的影响
机译:通过生长后退火改善晶片级六方氮化硼薄膜的结构和光学性能
机译:对于先进的器件技术,在没有氢的情况下退火的Gaas,Inp和si的晶片键合
机译:掺Si的GaAs单晶晶片及其制备方法,以及由所述掺Si的GaAs单晶晶片生产的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭制成的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭生产的掺Si的GaAs单晶晶片
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