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孙聂枫; 杨瑞霞; 周晓龙; 孙同年;
中国电子学会;
广州市科协;
磷化铟; 液封直拉; 单晶生长; 热场系统; 孪晶;
机译:在INP / InAs异质结构纳米线上的直径定制的电信带发光在INP(111)B底板上生长,具有从Microscale到纳米级的连续调制的直径
机译:直拉硅单晶生长过程中由直径波动引起的热应力的各向异性研究
机译:磷蒸气压控制下水平布里奇曼法化学计量学控制的Inp单晶生长
机译:使用基于INP的Uantum Wire NetWorks,电沉积的Pt / Inp肖特基障碍具有大的阻挡高度和传感器芯片的大氢敏感性
机译:关于对称组大Quirier块的粗弹图的直径
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:三维Dirac半型CD3As2的大单晶生长,运输性能和光谱特征
机译:大直径多晶坩埚成形Inp的研究。
机译:大直径单晶生长装置和大直径单晶生长方法
机译:具有直径方向小型沉降片环时,直径大或直径大的单筒圆机
机译:组合运输用交换体的角形支腿,其锁定销带有扩大的头部,该头部的直径比标准直径大,并且外部管道的孔直径和管道的开口直径与头部的直径匹配
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