可产业化单晶硅倒金字塔制绒新工艺

摘要

本文利用一步无掩膜铜纳米粒子催化刻蚀方法在工业用156×156mm2单晶硅片上制备了均匀致密的倒金字塔绒面，研究了其催化刻蚀机理以及倒金字塔的结构和陷光性能；还进一步制备了倒金字塔晶硅电池，由于倒金字塔下凹的结构特点，利于覆盖和电极填充，取得了较好的电池性能，串联电阻明显降低。由于该倒金字塔制绒工艺具有制作简单、刻蚀温度低、时间短，且与现有产线兼容，可望在提高绒面性能的同时大幅降低制绒片的生产成本，具备产业化应用的良好条件。