Sn含量对低温制备In2O3∶Sn薄膜性能的影响

摘要

氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究采用电阻加热反应蒸发的方法,在衬底温度为140℃下制备ITO薄膜,研究了薄膜中Sn含量对薄膜光电性能的影响。研究发现,随着Sn含量的增加,薄膜在可见光范围内的平均透过率呈下降趋势；随Sn含量的增加,电离杂质对载流子的散射作用增强,使薄膜的电阻率随之增大。实验中制备的In2O3薄膜,透过率良好,电阻率可达6.72×10-4Ω·c m,载流子浓度和迁移率可分别达到1.28×1020cm-3和43.2 cm2v-1s-1,与同系列样品中In2O3∶Sn薄膜相比,性能略显优异。