Si基高k介质材料Er2O3的分子束外延生长

摘要

本文使用分子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6 Torr的条件下首次实现了Er2O3单品薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。本文对Er2O3单品薄膜的电学性质进行了研究,还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差作了初步的研究。