磁控溅射制备SiC薄膜的拉曼特性研究

摘要

采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，利用拉曼光谱分析了衬底温度和功率对SiC薄膜结构的影响。结果表明，薄膜中既含有晶型SiC又含有非晶型SiC，同时还含有石墨相和无定形碳。随着衬底温度的升高，SiC拉曼特征峰向低波数方向移动，薄膜晶粒尺寸减小，薄膜结晶程度提高。在衬底温度为室温条件下，功率对薄膜结构的影响较小。