厚耗尽层Si探测器的研制及其在空间探测中的应用

摘要

本文讨论了厚耗尽层Si探测器在空间带电粒子探测中的重要作用和意义,分析了实现厚耗尽层Si探测器在技术上所受到的局限性,给出了两种厚耗尽层Si探测器(Si(Li)探测器和基于平面工艺技术的"叠层"Si探测器)的制备技术和性能测试结果.基于平面工艺技术的"叠层"Si探测器最突出优点是在较低的偏压下(例如150伏)可以得到较厚的耗尽层(例如4mm).测量结果显示,对207Bi内转换电子源975.6KeV峰的能量分辨为大约30KeV.另外,这种探测器反向漏电流小(150偏压下其反向漏电流典型值小于20nA),可经受高温(60℃)的考验.