不同的表面处理方法对碲镉汞材料表面和MIS器件性能的影响

摘要

碲镉汞材料是由半金属的碲化汞和半导体的碲化镉混合而成的半导体，自被发现以来，由于其禁带宽度可调，可以实现对整个红外波段的探测，并且具有较高的探测率和量子效率，使得其成为红外探测器中应用最广泛和最重要的材料。利用溴乙醇、乳酸乙二醇以及氢溴酸、双氧水和水混合溶液对碲镉汞表面进行腐蚀处理,利用XPS和AFM对其材料表面进行测试分析,获得近表面成分和表面粗糙度等信息.采用这些表面处理方式,制备p型碲镉汞长波MIS器件,进行CV测试,获得对应的表面电荷积累情况.实验表明,经过这几种表面处理后,材料表面粗糙度均有一定的增加,而氢溴酸、双氧水和水混合溶液中水比例较高时,材料表面氧化速率最慢,溴基的腐蚀液处理的碲镉汞表面,零价的Te含量很高.表面处理后制备的碲镉汞光伏器件表面都是负电荷的积累.