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王选理; 韩艳铃; 陈松; 唐宇; 黄宇阳; 邓文;
中国物理学会;
多晶陶瓷样; 磁电阻材料; 室温磁电阻效应; 稀土锰氧化物; 正电子湮没; 铁掺杂;
机译:Fe掺杂对La2 / 3ca1 / 3mN1-Xfexo3化合物磁热行为的影响:蒙特卡罗模拟
机译:57Fe掺杂La2 / 3Ca1 / 3Mn1-xFexO3(0≥x≥0.1)锰矿的结构磁性和Mossbauer研究
机译:通过界面工程对La2 / 3Sr1 / 3Co1-xMnxO2.5 +δ/ La2 / 3Sr1 / 3MnO3 / La2 / 3Sr1 / 3Co1-xMnxO2.5 +δ三层进行磁各向异性调整
机译:外延LA2 / 3SR1 / 3MNO3和Ag-掺杂La2 / 3SR1 / 3MNO3薄膜的组织研究
机译:镍掺杂P2型新型铁锰氧化物(Na 0.67Fe0.5mN0.502)高容量钠离子电池的阴极材料
机译:有趣的SrTiO3衬底上BiFeO3 / La2 / 3Sr1 / 3MnO3薄膜中交换偏压的光控制
机译:La2 / 3sr1 / 3mnO3 / LaalO3 / pt隧道结中的隧穿各向异性磁电阻
机译:Li +漂移揭示氮掺杂FZ硅的微观缺陷
机译:具有公共沟道停止器和具有沟道停止器掺杂的FET沟道掺杂的场效应晶体管(FET)的制造方法,该沟道停止器掺杂与FETS之间的介电隔离自对准
机译:复合Pr掺杂对Sr2-xPrxFeMoO6双钙钛矿磁性和磁热性能的影响
机译:制造方法例如在CPU中用作电路元件的n沟道FET涉及形成与另一个掺杂区接触的掺杂区,并在凹槽中沉积半导体材料以部分填充凹槽
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