光电化学刻蚀n型多孔硅过程中的介质增强荧光效应

摘要

在光电化学阳极刻蚀n型单晶硅过程中，在电解液中加入适量钛溶胶，制得的多孔硅（PS）经荧光光谱（PL）检测，发光强度明显增强。傅里叶红外光谱（FT-IR）检测发现在多孔硅结构中出现了亚甲基的伸缩振动吸收，用扫描电镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）表征手段对其进行表征，发现表面的裂缝区域明显加大。O、C、Si是多孔硅表面的主要构成元素。然后制备钛溶胶涂敷的多孔硅复合电极，在Fe(CN)63./Fe(CN)64.溶液中的测量了复合电极的光电流-电压关系。结果显示用添加钛凝胶制备的多孔硅电极具有更好的光电流特性。