高功率输出窗的二次电子倍增效应及其抑制工艺

摘要

本文论述了造成微波输出窗损坏的各种因素，指出了二次电子的倍增效应是输出窗损坏的主要原因。在抑制二次电子发射的措施中，详细介绍了氮化钛薄膜的性能、以及磁控溅射敷膜工艺的特点。