硅光电二极管高能标定技术

摘要

设计了一个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型，描述硅光电二极管的工作原理。在137Cs-661keV的均匀高能γ场中，对AXUV-100G型硅光电二极管进行标定。并且将试验标定曲线与国外标定曲线进行对比，分析后发现用这种方法标定的探测器精度与国外标定精度接近。同时推导出利用这种半导体探测器测量低能X射线光子注量的计算公式。