首页> 中文会议>2009年先进光学技术及其应用研讨会 >基于温度场监控的高功率半导体激光熔敷钴基涂层工艺研究

基于温度场监控的高功率半导体激光熔敷钴基涂层工艺研究

摘要

采用3.5 kw半导体激光在42CrMo4表面熔敷了钴基合金(Stellite 6)涂层,研究了监控熔敷过程中的熔池温度场对涂层的微观结构和显微硬度的影响。结果表明,监控熔池温度场可实现对熔敷层的结构及稀释率的控制;熔敷层与基体形成良好的冶金结合,组织致密,主要由平面晶、胞状晶、树枝晶和等轴晶构成;零稀释率时,熔敷层晶粒细小,显微硬度达到HV 600。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号