采用SiC反并二极管的逆变器性能研究

摘要

本文将富士公司带SiC反并二极管的IGBT模块，应用于一台1.5kW，20kHz半桥逆变器上。测试了逆变器开关波形、开关损耗和整机效率。通过和相同条件下普通Si反并二极管模块的实验结果进行对比，给出了采用SiC反并二极管的逆变器性能特点。