基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究

摘要

本文通过500℃低温金属有机化学气相沉积(MOCVD)在MQWs/p-GaN外延层上生长n—ZnO薄膜,并制得n-ZnO/MQW/p-GaN异质结发光二极管。电致发光(EL)下该异质结表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约15V。小电流(<30mA)注入时,可明显得到InGaN/GaN multi-quantum-wells(MQW)的黄绿发光峰。且随着电流增大,发光强度增大。通过对比n—ZnO/MQW/p—GaN异质结EL光谱和MQW/p—GaN的光致发光(PL)光谱,证明n-ZnO薄膜作n型层的n-ZnO/MQW/p—GaN异质结成功实现了量子阱阱层的发光,并观测到随注入电流在一定范围内增加,MQW的发光强度增加。