硅半导体探测器灵敏区厚度的测定

摘要

金硅面垒半导体探测器灵敏区的厚度对正确测量待测带电粒子的能谱至关重要。随着所加反向直流偏压的增加，金硅面垒半导体探测器灵敏区的厚度也随之增加。本文主要介绍了通过实验对金硅面垒半导体探测器灵敏区厚度的直接测定，即利用金硅面垒半导体探测器在不同的反向直流偏压下对不同能量的入射质子进行探测，然后对所得的实验能谱进行分析，从而得到不同反向偏压下金硅面垒半导体探测器灵敏区的厚度，其与半经验公式dn≈0.5(ρnV)1/2 计算得到的结果相比较，二者吻合的非常好。