N掺杂Ba2SiO4:Eu荧光粉发光性能的调控

摘要

随着固体照明的发展，不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉，通过改变氮化时间实现了发光波长在500～510nm内的调控。XRD结果表明，氮化后的粉体依然保持了Ba2SiO4的晶体结构。PL光谱表明，随着氮化时间的增加，N掺杂Ba2SiO4：Eu荧光粉的发射波长从500nm红移至510nm，同时激发峰位也出现红移，激发光谱明显宽化，在UV-LED芯片范围内(390～400nm)激发强度明显提高，从而在配合UV-LED芯片合成白光方面显现良好的应用前景。