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马楠; 沈波; 许福军; 卢励吾; 林芳; 冯志红; 敦少博; 刘波;
中国物理学会;
半导体材料; 氮化镓基; 物理性能; 负微分电阻效应; 电子漂移;
机译:非漂移热声子对GaN / AlGaN中高场漂移速度的影响
机译:低温生长的砷化镓中高场电子自旋输运和漂移电子的Dyakonov-Perel自旋弛豫的观察
机译:AlGaN / AlN / AlGaN / GaN驼背沟道中的热电子漂移速度
机译:GaN中高场瞬态电子传输的飞秒研究
机译:砷化镓和砷化铟镓中高电场下的电子漂移速度。
机译:具有超薄势垒的InAlN / GaN异质结构中高电场下热电子诱导的不饱和电流行为
机译:高电场下晶格匹配的AlInN / AlN / GaN沟道中的电子漂移速度
机译:有效的电离系数,电子漂移速度和粒子探测器可能感兴趣的气体混合物的限制击穿场
机译:光电阴极,电子管,场辅助型光电阴极,场辅助型光电阴极阵列和场辅助型电子管
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