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Understanding the Effect of Conformation on Hole Delocalization in Poly(dimethylsilane)

机译:了解构象对聚二甲基硅烷中空穴离域的影响

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摘要

Density functional theory calculations confirm that the simple explanation of the origin of the striking conformational dependence of sigma-electron localization/delocalization in polysilanes offered by the extremely simple Ladder C model is correct.
机译:密度泛函理论计算证实,由极其简单的Ladder C模型提供的关于聚硅烷中σ电子定位/离域的惊人构象依赖性的起源的简单解释是正确的。

著录项

  • 来源
    《Journal of the American Chemical Society》 |2018年第36期|11158-11160|共3页
  • 作者

    Jovanovic Milena; Michl Josef;

  • 作者单位

    Univ Colorado, Dept Chem & Biochem, Campus Box 215, Boulder, CO 80309 USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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