窄禁带半导体超晶格的红外调制光谱初步研究

摘要

发展了基于步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的红外调制PL和PR技术闭,使得系统分析中、远红外波段窄禁带碲镉汞(HgCdTe)半导体PL和PR光谱特性成为可能。窄禁带半导体超晶格被认为是在长波红外波段有望替代HgCdTe的新型红外探测材料,对其进行了系统概述。